实验项目：

1 ．用于测定通过电磁铁的电流和磁铁间隙中磁感应强度的关系，观测砷化镓（ GaAs ）霍耳元件的霍耳效应。

2 ．用于测定锑化铟（ InSb ）磁阻元件电阻大小磁感应强度的对应关系。

3 ．研究锑化铟（ InSb ）磁阻元件在不同磁感应强度区域的电阻值变化与磁感应强度的关系，进行曲线拟合，求出磁阻元件电阻与磁感应强度关系的经验公式。

4 ．外接信号发生器，深入研究磁电阻的交流特性（倍频效应），观测其特有的物理现象（选做）。

仪器主要技术参数：

１.双路直流电源

　电流范围 0 － 500 ｍ A 连续可调，数字电流表显示大小。

　电流范围 0 － 3 ｍ A 连续可调，供传感器的工作电流。

２.数字式毫特计

　测量范围 0 － 0.5T ，分辨率 0.0001T ，准确率为 1% 。