实验项目：

•  测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。

•  作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。

•  对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。

•  研究 InSb 磁电阻传感器在弱磁场下的交流特性（倍频效应），观测其特有的物理现象。

　　该仪器具有研究性和设计性实验的特点，可用于理工科大学的基础物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。

　　仪器主要技术参数：

1 ．磁电阻传感器工作电源 输出电流 0 － 3mA 连续可调。

2 ．数字式毫特计 测量范围 0 － 199.9mT

　　　　　　　　分辨率 0.1mT ，液晶显示

3 ．数字电压表 测量范围 0 － 1999mV

　　　　　　　　分辨率 1mV ，液晶显示